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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STW69N65M5-4
- 价格 起订量
- ￥ 80.51825 1+
- ￥ 75.96061 10+
- ￥ 71.66096 100+
- ￥ 67.60468 500+
- ￥ 63.77800 1000+
- 型号： STW69N65M5-4
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-4
- 描述： MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4
- 库存地点： 内地
- 库存： 4700
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 80.51825
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：26 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-4
- 引脚数：4
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：58A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：11.5 ns
- Power Dissipation (Max)：330W Tc
- 操作温度：150°C TJ
- 系列：MDmesh™ V
- 包装：Tube
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：45mOhm
- 基本部件号：STW69N
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：45m Ω @ 29A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6420pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：143nC @ 10V
- 上升时间：10ns
- 漏源电压 (Vdss)：650V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：11.5 ns
- 连续放电电流(ID)：58A
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 高度：21.1mm
- 长度：15.9mm
- 宽度：5.1mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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