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单MOSFET晶体管 / IPP65R125C7XKSA1
- 价格 起订量
- ￥ 26.17543 1+
- ￥ 24.69380 10+
- ￥ 23.29604 100+
- ￥ 21.97739 500+
- ￥ 20.73339 1000+
- 型号： IPP65R125C7XKSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 650V 18A TO220
- 库存地点： 内地
- 库存： 492
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 26.17543
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO220-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：101W Tc
- Turn Off Delay Time：71 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：CoolMOS™ C7
- 已出版：2008
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：125mOhm @ 8.9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 440μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1670pF @ 400V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35nC @ 10V
- 上升时间：15ns
- 漏源电压 (Vdss)：650V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：8 ns
- 连续放电电流(ID)：18A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：650V
- 输入电容：1.67nF
- 漏源电阻：110mOhm
- 最大rds：125 mΩ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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