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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FCP22N60N
- 价格 起订量
- ￥ 32.22820 1+
- ￥ 30.40396 10+
- ￥ 28.68298 100+
- ￥ 27.05942 500+
- ￥ 25.52775 1000+
- 型号： FCP22N60N
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
- 库存地点： 内地
- 库存： 900
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 32.22820
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-220-3
- 质量：1.8g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：22A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：205W Tc
- Turn Off Delay Time：49 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：SupreMOS™
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：165mOhm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 元素配置：Single
- 功率耗散：205W
- 接通延迟时间：16.9 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：165mOhm @ 11A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1950pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：45nC @ 10V
- 上升时间：16.7ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±45V
- 下降时间（典型值）：4 ns
- 连续放电电流(ID)：22A
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：600V
- 输入电容：1.95nF
- 恢复时间：53 ns
- 漏源电阻：140mOhm
- 最大rds：165 mΩ
- 栅源电压：3 V
- 高度：9.4mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：4.83mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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