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单MOSFET晶体管 / IPP50R140CPXKSA1
- 价格 起订量
- ￥ 27.61680 1+
- ￥ 26.05359 10+
- ￥ 24.57886 100+
- ￥ 23.18760 500+
- ￥ 21.87510 1000+
- 型号： IPP50R140CPXKSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 500V 23A TO-220
- 库存地点： 内地
- 库存： 683
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 27.61680
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：23A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：192W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：CoolMOS™
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：192W
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：35 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：140m Ω @ 14A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 930μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2540pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：64nC @ 10V
- 上升时间：14ns
- 漏源电压 (Vdss)：550V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：8 ns
- 连续放电电流(ID)：23A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：3.5V
- 最大双电源电压：500V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.14Ohm
- 漏源击穿电压：500V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：56A
- 雪崩能量等级（Eas）：616 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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