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单MOSFET晶体管 / FDP027N08B-F102
- 价格 起订量
- ￥ 27.46786 1+
- ￥ 25.91307 10+
- ￥ 24.44629 100+
- ￥ 23.06254 500+
- ￥ 21.75711 1000+
- 型号： FDP027N08B-F102
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 27.46786
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：9 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 质量：1.8g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：246W Tc
- Turn Off Delay Time：87 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：PowerTrench®
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：246W
- 接通延迟时间：47 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.7m Ω @ 100A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：13530pF @ 40V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：178nC @ 10V
- 上升时间：66ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：41 ns
- 连续放电电流(ID)：223A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：80V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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