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单MOSFET晶体管 / IPP60R299CPXKSA1
- 价格 起订量
- ￥ 22.25346 1+
- ￥ 20.99383 10+
- ￥ 19.80550 100+
- ￥ 18.68444 500+
- ￥ 17.62683 1000+
- 型号： IPP60R299CPXKSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
- 库存地点： 内地
- 库存： 1009
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 22.25346
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：96W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：CoolMOS™
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：600V
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：11A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：96W
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：299m Ω @ 6.6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 440μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1100pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：29nC @ 10V
- 上升时间：5ns
- 漏源电压 (Vdss)：650V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：11A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：600V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.299Ohm
- 雪崩能量等级（Eas）：290 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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