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单MOSFET晶体管 / 2V7002LT3G
- 价格 起订量
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- ￥ 1.49118 100+
- ￥ 1.40677 500+
- ￥ 1.32714 1000+
- 型号： 2V7002LT3G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET NFET 60V 115MA 7.5O
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.67549
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：115mA Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：225mW Ta
- Turn Off Delay Time：40 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：300mW
- 接通延迟时间：20 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.5 Ω @ 500mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 25V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：115mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5 pF
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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