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单MOSFET晶体管 / STF3N80K5
- 价格 起订量
- ¥ 14.92469 1+
- ¥ 14.07989 10+
- ¥ 13.28292 100+
- ¥ 12.53105 500+
- ¥ 11.82175 1000+
- 型号: STF3N80K5
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-220-3 Full Pack
- 描述: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
- 库存地点: 内地
- 库存: 9000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 14.92469
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:17 Weeks
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 包装/外壳:TO-220-3 Full Pack
- 安装类型:通孔
- 底架:通孔
- 引脚数:3
- 质量:329.988449mg
- 晶体管元件材料:SILICON
- Turn Off Delay Time:20.5 ns
- Power Dissipation (Max):20W Tc
- Number of Elements:1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:2.5A Tc
- 系列:SuperMESH5™
- 包装:Tube
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 基本部件号:STF3N
- 通道数量:1
- 元素配置:Single
- 操作模式:增强型MOSFET
- 箱体转运:ISOLATED
- 接通延迟时间:8.5 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- 晶体管应用:SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5 Ω @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:130pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:9.5nC @ 10V
- 上升时间:7.5ns
- 下降时间(典型值):25 ns
- 连续放电电流(ID):2.5A
- JEDEC-95代码:TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs):30V
- 漏源击穿电压:800V
- 雪崩能量等级(Eas):65 mJ
- 宽度:4.6mm
- 长度:10.4mm
- 高度:16.4mm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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