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单MOSFET晶体管 / IPA65R650CEXKSA1
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: IPA65R650CEXKSA1
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-220-3 Full Pack
- 描述: MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3
- 库存地点: 内地
- 库存: 500
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:18 Weeks
- 包装/外壳:TO-220-3 Full Pack
- 安装类型:通孔
- 底架:通孔
- 质量:6.000006g
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:7A Tc
- Power Dissipation (Max):28W Tc
- 系列:CoolMOS™ CE
- 包装:Tube
- 操作温度:-40°C~150°C TJ
- 已出版:2013
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 通道数量:1
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:650m Ω @ 2.1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 210μA
- 无卤素:无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:440pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:23nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 连续放电电流(ID):7A
- 最大双电源电压:650V
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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