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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDP55N06
- 价格 起订量
- ￥ 4.48065 1+
- ￥ 4.22703 10+
- ￥ 3.98776 100+
- ￥ 3.76204 500+
- ￥ 3.54909 1000+
- 型号： FDP55N06
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET SINGLE N-CH 150V ULTRAFET TRENCH
- 库存地点： 内地
- 库存： 68500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.48065
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 质量：1.8g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：55A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：114W Tc
- Turn Off Delay Time：70 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：UniFET™
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：22mOhm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：雪崩 额定
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：114W
- 接通延迟时间：30 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：22m Ω @ 27.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1510pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：37nC @ 10V
- 上升时间：130ns
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：95 ns
- 连续放电电流(ID)：55A
- 阈值电压：2V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：60V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：220A
- 雪崩能量等级（Eas）：480 mJ
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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