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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQP7N20
- 价格 起订量
- ￥ 3.19398 1+
- ￥ 3.01319 10+
- ￥ 2.84263 100+
- ￥ 2.68172 500+
- ￥ 2.52993 1000+
- 型号： FQP7N20
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220
- 库存地点： 内地
- 库存： 16
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.19398
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：63W Tc
- Turn Off Delay Time：15 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：QFET®
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流：200V
- 额定电流：6.6A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：63W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：690m Ω @ 3.3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：400pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10nC @ 10V
- 上升时间：65ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：35 ns
- 连续放电电流(ID)：6.6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：200V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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