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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDI045N10A-F102
- 价格 起订量
- ￥ 30.62062 1+
- ￥ 28.88738 10+
- ￥ 27.25224 100+
- ￥ 25.70966 500+
- ￥ 24.25440 1000+
- 型号： FDI045N10A-F102
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 4000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 30.62062
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：9 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 引脚数：3
- 质量：2.084g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：263W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：PowerTrench®
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：263W
- 接通延迟时间：23 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.5m Ω @ 100A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5270pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：74nC @ 10V
- 上升时间：26ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：15 ns
- 连续放电电流(ID)：120A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：100V
- 高度：9.65mm
- 长度：10.29mm
- 宽度：4.83mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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