简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STI33N60M2
- 价格 起订量
- ￥ 10.85400 1+
- ￥ 10.23962 10+
- ￥ 9.66002 100+
- ￥ 9.11323 500+
- ￥ 8.59739 1000+
- 型号： STI33N60M2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 10
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.85400
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 质量：2.084002g
- Turn Off Delay Time：109 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：26A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 系列：MDmesh™ II Plus
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 零件状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：108mOhm
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STI33N
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：16 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：125m Ω @ 13A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1781pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：45.5nC @ 10V
- 上升时间：9.6ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：9 ns
- 连续放电电流(ID)：26A
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STI33N60M2 STMicroelectronics
IPI60R125CPXKSA1 Infineon Technologies- STI40N65M2 STMicroelectronics
STFI34N65M5 STMicroelectronics- STFI28N60M2 STMicroelectronics
