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单MOSFET晶体管 / STB80NF55L-08-1
- 价格 起订量
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- ￥ 16.66763 500+
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- 型号： STB80NF55L-08-1
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 13373
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 19.85141
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：85 ns
- 操作温度：175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：STripFET™ II
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 基本部件号：STB80N
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：300W
- 接通延迟时间：35 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8m Ω @ 40A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4350pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：100nC @ 4.5V
- 上升时间：145ns
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：65 ns
- 连续放电电流(ID)：80A
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 漏源击穿电压：55V
- 雪崩能量等级（Eas）：870 mJ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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