简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STB100NF03L-03T4
- 价格 起订量
- ￥ 12.96059 1+
- ￥ 12.22697 10+
- ￥ 11.53488 100+
- ￥ 10.88196 500+
- ￥ 10.26600 1000+
- 型号： STB100NF03L-03T4
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
- 库存地点： 内地
- 库存： 8
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 12.96059
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：115 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：STripFET™ III
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：3.2MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 电压 - 额定直流：30V
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：245
- 额定电流：100A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：STB100N
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：300W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：35 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.2m Ω @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6200pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：88nC @ 5V
- 上升时间：315ns
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：95 ns
- 连续放电电流(ID)：100A
- 阈值电压：1.7V
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：400A
- 栅源电压：1.7 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STB100NF03L-03T4 STMicroelectronics- STB80NF03L-04T4 STMicroelectronics
- STB300NH02L STMicroelectronics
- STB200NF03T4 STMicroelectronics
IRL2203NSTRLPBF Infineon Technologies
