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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STI55NF03L
- 价格 起订量
- ￥ 9.90927 1+
- ￥ 9.34837 10+
- ￥ 8.81921 100+
- ￥ 8.32001 500+
- ￥ 7.84907 1000+
- 型号： STI55NF03L
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 905
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.90927
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：55A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：80W Tc
- 操作温度：-60°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：STripFET™ II
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STI55N
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSIP-T3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：13m Ω @ 27.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1265pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：27nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±16V
- 连续放电电流(ID)：55A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.02Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：220A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 雪崩能量等级（Eas）：120 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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