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单MOSFET晶体管 / STF4N52K3
- 价格 起订量
- ¥ 10.01717 1+
- ¥ 9.45016 10+
- ¥ 8.91524 100+
- ¥ 8.41061 500+
- ¥ 7.93453 1000+
- 型号: STF4N52K3
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-220-3 Full Pack
- 描述: MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP
- 库存地点: 内地
- 库存: 2212
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 10.01717
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳:TO-220-3 Full Pack
- 安装类型:通孔
- 底架:Surface Mount, Through Hole
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Power Dissipation (Max):20W Tc
- Number of Elements:1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:2.5A Tc
- Turn Off Delay Time:21 ns
- 包装:Tube
- 操作温度:150°C TJ
- 系列:SuperMESH3™
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:2
- ECCN 代码:EAR99
- 电阻:2.6Ohm
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn) - annealed
- 附加功能:ULTRA-LOW RESISTANCE
- 终端形式:鸥翼
- 基本部件号:STF4N
- 引脚数量:3
- JESD-30代码:R-PSSO-G2
- 元素配置:Single
- 操作模式:增强型MOSFET
- 功率耗散:20W
- 接通延迟时间:8 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- 晶体管应用:SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs:2.6 Ω @ 1.25A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:334pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:11nC @ 10V
- 上升时间:7ns
- Vgs(最大值):±30V
- 下降时间(典型值):14 ns
- 连续放电电流(ID):2.5A
- 阈值电压:3.75V
- JEDEC-95代码:TO-252
- 栅极至源极电压(Vgs):30V
- 漏源击穿电压:525V
- 长度:7mm
- 高度:2.4mm
- 宽度:6.6mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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