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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FCU900N60Z
- 价格 起订量
- ￥ 14.46261 1+
- ￥ 13.64397 10+
- ￥ 12.87167 100+
- ￥ 12.14308 500+
- ￥ 11.45574 1000+
- 型号： FCU900N60Z
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCU900N60ZPower MOSFET, N Channel, 4.5 A, 600 V, 0.82 ohm, 10 V, 2.5 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 1722
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.46261
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 触点镀层：Tin
- 包装/外壳：TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 质量：539mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：33.6 ns
- Power Dissipation (Max)：52W Tc
- Number of Elements：1
- 已出版：2012
- 系列：SuperFET® II
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：52W
- 接通延迟时间：10.9 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：900m Ω @ 2.3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：710pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：17nC @ 10V
- 上升时间：5.3ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：11.9 ns
- 连续放电电流(ID)：4.5A
- 阈值电压：2.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.9Ohm
- 漏源击穿电压：675V
- 雪崩能量等级（Eas）：47.5 mJ
- 宽度：2.5mm
- 长度：6.8mm
- 高度：7.57mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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