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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDU6N25
- 价格 起订量
- ￥ 10.37803 1+
- ￥ 9.79060 10+
- ￥ 9.23641 100+
- ￥ 8.71360 500+
- ￥ 8.22037 1000+
- 型号： FDU6N25
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 描述： MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.37803
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 引脚数：3
- 质量：539mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：50W Tc
- Turn Off Delay Time：7 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：UniFET™
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.1 Ω @ 2.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：250pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6nC @ 10V
- 上升时间：60ns
- 漏源电压 (Vdss)：250V
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：34 ns
- 连续放电电流(ID)：4.4A
- JEDEC-95代码：TO-251AA
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：18A
- DS 击穿电压-最小值：250V
- 雪崩能量等级（Eas）：12 mJ
- 高度：7.57mm
- 长度：6.8mm
- 宽度：2.5mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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