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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STD6N52K3
- 价格 起订量
- ￥ 10.51512 1+
- ￥ 9.91992 10+
- ￥ 9.35842 100+
- ￥ 8.82869 500+
- ￥ 8.32896 1000+
- 型号： STD6N52K3
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans MOSFET N-CH 525V 5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 12500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.51512
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：70W Tc
- Turn Off Delay Time：31 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：SuperMESH3™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：1.2Ohm
- 附加功能：ULTRA-LOW RESISTANCE
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 基本部件号：STD6N
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：70W
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.2 Ω @ 2.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA
- 上升时间：11ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：18 ns
- 连续放电电流(ID)：5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5A
- 漏源击穿电压：525V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：20A
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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