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单MOSFET晶体管 / STD1HN60K3
- 价格 起订量
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- 型号： STD1HN60K3
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 2500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：2
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：27W Tc
- Turn Off Delay Time：23 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：SuperMESH3™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：8Ohm
- 基本部件号：STD1HN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：27W
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8 Ω @ 600mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：140pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9.5nC @ 10V
- 上升时间：10ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：31 ns
- 连续放电电流(ID)：1.2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：600V
- 高度：2.4mm
- 长度：6.6mm
- 宽度：6.2mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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