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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NVTR4503NT1G
- 价格 起订量
- ￥ 2.41608 1+
- ￥ 2.27932 10+
- ￥ 2.15031 100+
- ￥ 2.02859 500+
- ￥ 1.91377 1000+
- 型号： NVTR4503NT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.41608
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：420mW Ta
- Turn Off Delay Time：14 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：730mW
- 接通延迟时间：5.8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：110m Ω @ 2.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：135pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：7nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2A
- 反馈上限-最大值 (Crss)：25 pF
- 高度：1.01mm
- 长度：3.04mm
- 宽度：1.4mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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