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单MOSFET晶体管 / IRF200B211
- 价格 起订量
- ￥ 3.89024 1+
- ￥ 3.67003 10+
- ￥ 3.46230 100+
- ￥ 3.26632 500+
- ￥ 3.08143 1000+
- 型号： IRF200B211
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Single N-Channel 200 V 170 mOhm 15.3 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.89024
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：80W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®, StrongIRFET™
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：170mOhm
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：170m Ω @ 7.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：790pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：23nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：200V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：12A
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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