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单MOSFET晶体管 / IRFU5505PBF
- 价格 起订量
- ￥ 18.30424 1+
- ￥ 17.26816 10+
- ￥ 16.29071 100+
- ￥ 15.36860 500+
- ￥ 14.49868 1000+
- 型号： IRFU5505PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 315
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.30424
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：57W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：110Ohm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- 附加功能：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
- 电压 - 额定直流：-55V
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-18A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：57W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：110m Ω @ 9.6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：650pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：32nC @ 10V
- 上升时间：28ns
- 漏源电压 (Vdss)：55V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：16 ns
- 连续放电电流(ID)：-18A
- 阈值电压：-4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-55V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：64A
- 双电源电压：-55V
- 栅源电压：-4 V
- 高度：6.22mm
- 长度：6.7056mm
- 宽度：2.3876mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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