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单MOSFET晶体管 / IRF7820TRPBF
- 价格 起订量
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- ￥ 11.21176 10+
- ￥ 10.57713 100+
- ￥ 9.97843 500+
- ￥ 9.41361 1000+
- 型号： IRF7820TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
- 库存地点： 内地
- 库存： 15482
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.88447
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.7A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：14 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2012
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：7.1 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：78m Ω @ 2.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1750pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：44nC @ 10V
- 上升时间：3.2ns
- 漏源电压 (Vdss)：200V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：3.7A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- DS 击穿电压-最小值：200V
- 栅源电压：4 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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