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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDB024N08BL7
- 价格 起订量
- ￥ 31.72812 1+
- ￥ 29.93219 10+
- ￥ 28.23791 100+
- ￥ 26.63954 500+
- ￥ 25.13164 1000+
- 型号： FDB024N08BL7
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 描述： Trans MOSFET N-CH 80V 229A 7-Pin(6 Tab) D2PAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 4760
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 31.72812
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 引脚数：7
- 质量：1.312g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：246W Tc
- Turn Off Delay Time：87 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：245
- JESD-30代码：R-PSSO-G6
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：246W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：47 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.4m Ω @ 100A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：13530pF @ 40V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：178nC @ 10V
- 上升时间：66ns
- 漏源电压 (Vdss)：80V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：41 ns
- 连续放电电流(ID)：229A
- JEDEC-95代码：TO-263CB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0024Ohm
- DS 击穿电压-最小值：80V
- 高度：4.7mm
- 长度：10.2mm
- 宽度：9.4mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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