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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRF100S201
- 价格 起订量
- ￥ 36.61193 1+
- ￥ 34.53955 10+
- ￥ 32.58448 100+
- ￥ 30.74008 500+
- ￥ 29.00007 1000+
- 型号： IRF100S201
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 1226
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 36.61193
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 供应商器件包装：D2PAK (TO-263AB)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：192A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：441W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®, StrongIRFET™
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.2mOhm @ 115A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9500pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：255nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：192A
- 输入电容：9.5nF
- 漏源电阻：3.5mOhm
- 最大rds：4.2 mΩ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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