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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IPB031N08N5ATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 26.56265 1+
- ￥ 25.05910 10+
- ￥ 23.64066 100+
- ￥ 22.30251 500+
- ￥ 21.04011 1000+
- 型号： IPB031N08N5ATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 80V TO263-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 26.56265
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 质量：3.949996g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：167W Tc
- Turn Off Delay Time：37 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：18 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.1m Ω @ 100A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 108μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6240pF @ 40V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：87nC @ 10V
- 上升时间：18ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：120A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：80V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：480A
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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