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单MOSFET晶体管 / BSZ068N06NSATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 9.10069 1+
- ￥ 8.58556 10+
- ￥ 8.09958 100+
- ￥ 7.64112 500+
- ￥ 7.20860 1000+
- 型号： BSZ068N06NSATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 538
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.10069
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.1W Ta 46W Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：40A Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：无铅
- Reach合规守则：not_compliant
- JESD-30代码：S-PDSO-N3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6.8m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 20μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1500pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：21nC @ 10V
- 上升时间：3ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：40A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：60V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：160A
- 雪崩能量等级（Eas）：43 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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