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单MOSFET晶体管 / 2N7002-G
- 价格 起订量
- ￥ 3.70650 1+
- ￥ 3.49669 10+
- ￥ 3.29877 100+
- ￥ 3.11204 500+
- ￥ 2.93589 1000+
- 型号： 2N7002-G
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Mosfet; N-channel Enhancement Mode; 60V; 7.5 OHM3 SOT-23T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 126688
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.70650
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：1.437803g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：115mA Tj
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：360mW Ta
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：高输入阻抗
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：360mW
- 接通延迟时间：20 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.5 Ω @ 500mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 25V
- Vgs（最大值）：±30V
- 连续放电电流(ID)：115mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：60V
- 环境温度范围高：150°C
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5 pF
- 高度：1.12mm
- 长度：2.92mm
- 宽度：1.3mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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