简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / BSP129H6327XTSA1
- 价格 起订量
- ￥ 5.34354 1+
- ￥ 5.04108 10+
- ￥ 4.75573 100+
- ￥ 4.48654 500+
- ￥ 4.23259 1000+
- 型号： BSP129H6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 100000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.34354
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：PG-SOT223-4
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：350mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：0V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.8W Ta
- Turn Off Delay Time：22 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：SIPMOS®
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 引脚数量：4
- 通道数量：1
- 电压：240V
- 元素配置：Single
- 电流：35A
- 功率耗散：1.7W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：4.4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6 Ω @ 350mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 108μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：108pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5.7nC @ 5V
- 上升时间：4.1ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：35 ns
- 连续放电电流(ID)：120mA
- 阈值电压：-2.1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：240V
- 漏极-源极导通最大电阻：20Ohm
- 漏源击穿电压：240V
- 双电源电压：240V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 场效应管特性：耗尽模式
- 栅源电压：-1.4 V
- 高度：1.8mm
- 长度：6.5mm
- 宽度：3.5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies
ZVN2120GTA Diodes Incorporated- BSP89H6327XTSA1 Infineon Technologies
- BSP88H6327XTSA1 Infineon Technologies
