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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NTHS4101PT1G
- 价格 起订量
- ￥ 9.67443 1+
- ￥ 9.12682 10+
- ￥ 8.61020 100+
- ￥ 8.12283 500+
- ￥ 7.66305 1000+
- 型号： NTHS4101PT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SMD, Flat Lead
- 描述： MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 962
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.67443
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
- 工厂交货时间：9 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SMD, Flat Lead
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.8A Tj
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.3W Ta
- Turn Off Delay Time：75 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：21MOhm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 电压 - 额定直流：-20V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：C 弯管
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-4.8A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：8
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.3W
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：34m Ω @ 4.8A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2100pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35nC @ 4.5V
- 上升时间：28ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：28 ns
- 连续放电电流(ID)：-4.8A
- 阈值电压：-1.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：-20V
- 栅源电压：-1.5 V
- 高度：1.1mm
- 长度：3.1mm
- 宽度：1.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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