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单MOSFET晶体管 / BSC050N03LSGATMA1
- 价格 起订量
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- 型号： BSC050N03LSGATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.58837
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：39 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：PG-TDSON-8-5
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A Ta 80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 50W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2000
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 功率耗散：50W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5mOhm @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2800pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35nC @ 10V
- 上升时间：4ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：80A
- 阈值电压：2.2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：30V
- 输入电容：2.8nF
- 漏源电阻：4.2mOhm
- 最大rds：5 mΩ
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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