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单MOSFET晶体管 / DMN3032LE-13
- 价格 起订量
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- ￥ 5.34260 10+
- ￥ 5.04019 100+
- ￥ 4.75489 500+
- ￥ 4.48575 1000+
- 型号： DMN3032LE-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
- 库存地点： 内地
- 库存： 12000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.66315
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：22 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：SOT-223
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.6A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：1.8W Ta
- Turn Off Delay Time：10 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2014
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 基本部件号：DMN3032
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：2.3 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：29mOhm @ 3.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：498pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11.3nC @ 10V
- 上升时间：3.9ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：1.9 ns
- 连续放电电流(ID)：5.6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 输入电容：498pF
- 漏源电阻：35mOhm
- 最大rds：29 mΩ
- 高度：1.65mm
- 长度：6.55mm
- 宽度：3.55mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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