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MOSFETs 晶体管阵列 / NVMFD5485NLWFT1G
- 价格 起订量
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- 型号： NVMFD5485NLWFT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： ON SEMICONDUCTOR - NVMFD5485NLWFT1G - NFET DFN8 60V 20A 60MOHM / REEL
- 库存地点： 内地
- 库存： 360000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- Turn Off Delay Time：27.8 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：2.9W
- 引脚数量：8
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 接通延迟时间：9.5 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：44m Ω @ 15A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：560pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：20nC @ 10V
- 上升时间：26.6ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 下降时间（典型值）：23.7 ns
- 连续放电电流(ID)：5.3A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：60V
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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