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MOSFETs 晶体管阵列 / IRFH7911TRPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRFH7911TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 18-PowerVQFN
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 9
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：39 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：18-PowerVQFN
- 引脚数：18
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A 28A
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：2 (1 Year)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：8.6MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：3.4W
- 端子位置：QUAD
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：IRFH7911PBF
- JESD-30代码：R-PQFP-N6
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.4W
- 箱体转运：排水源头
- 功率 - 最大：2.4W 3.4W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8.6m Ω @ 12A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1060pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 4.5V
- 连续放电电流(ID)：13A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：100A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：2.35 V
- 高度：939.8μm
- 长度：5.9944mm
- 宽度：5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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