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MOSFETs 晶体管阵列 / AUIRF7342QTR
- 价格 起订量
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- 型号： AUIRF7342QTR
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 6055
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：43 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
- 已出版：2011
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：2W
- 终端形式：鸥翼
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：105m Ω @ 3.4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：690pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：38nC @ 10V
- 上升时间：10ns
- 漏源电压 (Vdss)：55V
- 下降时间（典型值）：22 ns
- 连续放电电流(ID)：3.4A
- 阈值电压：-1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.105Ohm
- 漏源击穿电压：-55V
- 雪崩能量等级（Eas）：114 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：1.5mm
- 长度：5mm
- 宽度：4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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