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MOSFETs 晶体管阵列 / IRFH4251DTRPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRFH4251DTRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerVDFN
- 描述： MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 7736
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerVDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：64A 188A
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：FASTIRFET™
- 已出版：2013
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：63W
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：SOURCE
- 功率 - 最大：31W 63W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual), Schottky
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.2m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1314pF @ 13V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：15nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 连续放电电流(ID)：188A
- 阈值电压：1.6V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：45A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0046Ohm
- 雪崩能量等级（Eas）：61 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：900μm
- 长度：6mm
- 宽度：5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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