简体中文
图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / 2N7002VA-7-F
- 价格 起订量
- ￥ 1.57058 1+
- ￥ 1.48168 10+
- ￥ 1.39781 100+
- ￥ 1.31869 500+
- ￥ 1.24404 1000+
- 型号： 2N7002VA-7-F
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： MOSFET 60V 150mW
- 库存地点： 内地
- 库存： 3113
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.57058
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：SOT-563
- 质量：3.005049mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：280mA
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：60V
- 最大功率耗散：150mW
- 额定电流：280mA
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：150mW
- 接通延迟时间：20 ns
- 功率 - 最大：150mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.5Ohm @ 50mA, 5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 25V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 连续放电电流(ID)：280mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：70V
- 输入电容：50pF
- 场效应管特性：Standard
- 漏源电阻：13.5Ohm
- 最大rds：7.5 Ω
- 高度：600μm
- 长度：1.6mm
- 宽度：1.2mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
2N7002VA-7-F Diodes Incorporated- 2N7002V ON Semiconductor
- DMN601VK-7 Diodes Incorporated
- 2N7002VAC-7 Diodes Incorporated
- 2N7002VC-7 Diodes Incorporated
