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MOSFETs 晶体管阵列 / 2N7002V
- 价格 起订量
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- ￥ 3.50637 500+
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- 型号： 2N7002V
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563F
- 库存地点： 内地
- 库存： 9391
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.17615
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：11 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 引脚数：6
- 质量：32mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：12.5 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：7.5Ohm
- 最大功率耗散：250mW
- 终端形式：FLAT
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：250mW
- 接通延迟时间：5.85 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.5 Ω @ 50mA, 5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 25V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 连续放电电流(ID)：280mA
- 阈值电压：1.76V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：60V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：1.76 V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：7 pF
- 高度：600μm
- 长度：1.7mm
- 宽度：1.2mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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