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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / DMN2300UFL4-7
- 价格 起订量
- ￥ 3.71289 1+
- ￥ 3.50272 10+
- ￥ 3.30446 100+
- ￥ 3.11741 500+
- ￥ 2.94095 1000+
- 型号： DMN2300UFL4-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-XFDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 2396
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.71289
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-XFDFN Exposed Pad
- 引脚数：6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.11A Ta
- Turn Off Delay Time：38 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 最大功率耗散：530mW
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 通道数量：2
- 功率耗散：1.39W
- 接通延迟时间：3.5 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：195m Ω @ 300mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：128.6pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.2nC @ 4.5V
- 上升时间：2.8ns
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：2.11A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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