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MOSFETs 晶体管阵列 / IRF7331PBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRF7331PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 11521
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2004
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：IRF7331PBF
- JESD-30代码：R-PDSO-G8
- 资历状况：不合格
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率 - 最大：2W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：30m Ω @ 7A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1340pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：20nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- JEDEC-95代码：MS-012AA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.03Ohm
- DS 击穿电压-最小值：20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：2W
- 场效应管特性：逻辑电平门
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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