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MOSFETs 晶体管阵列 / BSC0924NDIATMA1
- 价格 起订量
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- 型号： BSC0924NDIATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 4534
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A 32A
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：1W
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PDSO-N6
- 配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：排水源头
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1160pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 连续放电电流(ID)：32A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.3A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.007Ohm
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 4.5V Drive
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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