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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NTR5105PT1G
- 价格 起订量
- ￥ 2.02190 1+
- ￥ 1.90745 10+
- ￥ 1.79948 100+
- ￥ 1.69763 500+
- ￥ 1.60153 1000+
- 型号： NTR5105PT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 61800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.02190
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：196mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：347mW Ta
- Turn Off Delay Time：8.8 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：5Ohm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：5.8 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5 Ω @ 100mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：30.3pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1nC @ 5V
- 上升时间：4ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：12.8 ns
- 连续放电电流(ID)：196mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-60V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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