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单MOSFET晶体管 / CPH3448-TL-W
- 价格 起订量
- ￥ 16.84391 1+
- ￥ 15.89048 10+
- ￥ 14.99102 100+
- ￥ 14.14247 500+
- ￥ 13.34195 1000+
- 型号： CPH3448-TL-W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： N-Channel Power MOSFET, 30V, 4A, 50mO
- 库存地点： 内地
- 库存： 88888
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 16.84391
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1W Ta
- Turn Off Delay Time：36 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：not_compliant
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：50m Ω @ 2A, 4.5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：430pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.7nC @ 4.5V
- 上升时间：41ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：37 ns
- 连续放电电流(ID)：4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.05Ohm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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