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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NTR3C21NZT1G
- 价格 起订量
- ￥ 3.04732 1+
- ￥ 2.87483 10+
- ￥ 2.71211 100+
- ￥ 2.55859 500+
- ￥ 2.41377 1000+
- 型号： NTR3C21NZT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET 20 V SANYO T6 NCH IN
- 库存地点： 内地
- 库存： 61800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.04732
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.6A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：470mW Ta
- Turn Off Delay Time：420 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 附加功能：超低电阻
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：24m Ω @ 5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1540pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：17.8nC @ 4.5V
- 上升时间：14ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：4.67 μs
- 连续放电电流(ID)：3.6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.024Ohm
- DS 击穿电压-最小值：20V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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