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单MOSFET晶体管 / ZVP4424GTA
- 价格 起订量
- ￥ 9.13619 1+
- ￥ 8.61905 10+
- ￥ 8.13118 100+
- ￥ 7.67092 500+
- ￥ 7.23672 1000+
- 型号： ZVP4424GTA
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： Trans MOSFET P-CH 240V 0.48A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 655
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.13619
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：4
- 质量：7.994566mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：480mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：3.5V 10V
- Number of Elements：1
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2V @ 1mA
- Turn Off Delay Time：26 ns
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：9Ohm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：-240V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-1A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- JESD-30代码：R-PDSO-G4
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：9 Ω @ 200mA, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：200pF @ 25V
- 上升时间：8ns
- 漏源电压 (Vdss)：240V
- Vgs（最大值）：±40V
- 下降时间（典型值）：20 ns
- 连续放电电流(ID)：480mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：40V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.48A
- 漏源击穿电压：-240V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：1A
- 高度：1.65mm
- 长度：6.7mm
- 宽度：3.7mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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