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单MOSFET晶体管 / FQD16N25CTM
- 价格 起订量
- ￥ 11.14820 1+
- ￥ 10.51717 10+
- ￥ 9.92185 100+
- ￥ 9.36024 500+
- ￥ 8.83042 1000+
- 型号： FQD16N25CTM
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 250V 16A D-PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 60000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.14820
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 质量：260.37mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：16A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：160W Tc
- Turn Off Delay Time：135 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：QFET®
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：270mOhm
- 附加功能：雪崩 额定
- 电压 - 额定直流：250V
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：16A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：160W
- 接通延迟时间：15 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：270m Ω @ 8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1080pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：53.5nC @ 10V
- 上升时间：130ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：105 ns
- 连续放电电流(ID)：16A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：250V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：64A
- 栅源电压：4 V
- 高度：2.3mm
- 长度：6.6mm
- 宽度：6.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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