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单MOSFET晶体管 / FDMC6679AZ
- 价格 起订量
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- ￥ 10.08978 100+
- ￥ 9.51866 500+
- ￥ 8.97987 1000+
- 型号： FDMC6679AZ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerWDFN
- 描述： P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -20A, 10mO
- 库存地点： 内地
- 库存： 12000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.33688
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 工厂交货时间：23 Weeks
- 触点镀层：Gold
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerWDFN
- 引脚数：8
- 质量：165.33333mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11.5A Ta 20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.3W Ta 41W Tc
- Turn Off Delay Time：63 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：10MOhm
- 端子位置：DUAL
- JESD-30代码：S-PDSO-N5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：41W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：10m Ω @ 11.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3970pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：91nC @ 10V
- 上升时间：14ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：46 ns
- 连续放电电流(ID)：11.5A
- 阈值电压：-1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：-30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：32A
- 高度：750μm
- 长度：3.3mm
- 宽度：3.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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