简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRFH5006TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 17.80734 1+
- ￥ 16.79938 10+
- ￥ 15.84847 100+
- ￥ 14.95139 500+
- ￥ 14.10508 1000+
- 型号： IRFH5006TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew
- 库存地点： 内地
- 库存： 20222
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 17.80734
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：21A Ta 100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.6W Ta 156W Tc
- Turn Off Delay Time：30 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：4.1MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- JESD-30代码：R-PDSO-N5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：156W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：9.6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.1m Ω @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4175pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：100nC @ 10V
- 上升时间：13ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：100A
- 阈值电压：2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：60V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：400A
- 栅源电压：2 V
- 高度：990.6μm
- 长度：6.1468mm
- 宽度：5.15mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRFH5006TRPBF Infineon Technologies
IRFH7085TRPBF Infineon Technologies
IRFH5206TRPBF Infineon Technologies- IRFH5110TR2PBF Infineon Technologies
- IRFH5206TR2PBF Infineon Technologies
